История:
TRF250-183S
T390N16TOF
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RGTH40TK65GC11
RGTH40TK65GC11
RGTH40TK65GC11
Артикул:
Описание:
RGTH40TK65GC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
23 A
Power Dispation
56 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
23 A
Power Dispation
56 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGTH40TK65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором

