История:
160091-2110
0034.5604.11
10899079-FCB
0ZCG0035AF2C
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
RGW60TS65GC11
RGW60TS65GC11
RGW60TS65GC11
Артикул:
Описание:
RGW60TS65GC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Power Dispation
178 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGW60TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Power Dispation
178 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGW60TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором

