История:
B512F-2T-YEB
0269.600V
MCC552-12io2
RGW80TS65GC11
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RGW80TS65GC11
Характеристики
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
78 A
Power Dispation
214 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RGW80TS65GC11: Биполярный транзистор с изолированным затвором

