История:
NXRT15XV103FA3A016
15EDGRHDM-THR-3.5-04P
RJH65T46DPQ-A0#T0
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
RJH65T46DPQ-A0#T0
Характеристики
Manufacturer
Renesas Electronics
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
30 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
340.9 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-RJH65T46DPQ-A0#T0: Биполярный транзистор с изолированным затвором

