История:
096114
QJ6006VH4TP
QK004L4TP
QJ4016LH3TP
096109
QJ6025KH6TP
096110
QJ8040KH6TP
STGD3HF60HDT4
QJ8040K4TP
SGP07N120
QJ6040JH6TP
129844
QJ6008VH2TP
190198
QJ6040KH6TP
187670
QJ6008DH4TP
STGD19N40LZ
IXBOD1-34R
QJ6025RH5TP
QJ6016LH2TP
QJ8012RH5TP
94586
QJ8025RH5TP
096099
048823
QJ8012RH4TP
QJ8025RH4TP
APT40M35JVR
QJ6016RH4TP
QJ6016RH3TP
048832
SGF23N60UFTU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
SGF23N60UFTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
23 A
Power Dispation
75 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGF23N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор SGF23N60UFTU в каталоге Components.by