SGF5N150UFTU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
SGF5N150UFTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
1500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
10 A
Power Dispation
62.5 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGF5N150UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором