История:
APT58M50JU2
LSP10277P
IDW40E65D2
QJ6025LH5TP
SGH40N60UFTU
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
SGH40N60UFTU
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
160 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-SGH40N60UFTU: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор SGH40N60UFTU в каталоге Components.by