SMMBFJ177LT1G ON Semiconductor
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Производитель:
ON Semiconductor
Описание:
SMMBFJ177LT1G ON Semiconductor
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
P-Channel
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage
30 V
Gate-Source Cut-off Voltage
2.5 V
Drain-Source Current at Vgs=0
- 20 mA
Id - Continuous Drain Current
- 1 nA
Pd - Power Dissipation
225 mW
Rds On - Drain-Source Resistance
300 Ohms
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Unit Weight
201 mg
Brand
ON Semiconductor
Configuration
Single
Factory Pack Quantity
3000
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
TO-236AB
Packaging
Reel
Product Category
JFET
Product Type
JFETs
Qualification
AEC-Q101
RoHS
Details
Series
MMBFJ177L
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Type
JFET
Описание
Транзистор SMMBFJ177LT1G ON Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент SMMBFJ177LT1G ON Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом SMMBFJ177LT1G , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.