История:
IGB50N60TATMA1
RGW60TK65DGVC11
STGB10NB37LZT4
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGB10NB37LZT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
440 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB10NB37LZT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором

