STGB14NC60KDT4
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGB14NC60KDT4
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB14NC60KDT4: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGB14NC60KDT4 в каталоге Components.by