История:
STGB10M65DF2
MC-RE7.5V08C-R-0001
STGB20N40LZ
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGB20N40LZ
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
425 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Power Dispation
150 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGB20N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGB20N40LZ в каталоге Components.by