Минск, Одесская 14, офис 5

Пн-пт: 9:00 - 17:30
[email protected]

+375 (17) 513-70-10 +375 (44) 761-18-88

Каталог электронных компонентов

Пн-пт: 9:00 - 17:30

[email protected]

phone

История: AC0603DR-0710ML APTGL90H120T3G FF600R12ME4_B11 STGF14NC60KD FGP15N60UNDF RM8/ILP-3C90 MLN0805-320 FP10R06W1E3 APT50M50JVFR STGF10NC60KD FGH80N60FD2TU STGB30V60DF FP35R12KT4_B15 QK012LH5 STGB7H60DF STGB5H60DF STGD25N40LZAG APTGLQ80HR120CT3G STGD20N45LZAG STGWA15S120DF3 TD60N16SOF STGF19NC60HD HMC-C053 IXBOD1-14R FS100R12KT4G_B11 FGH75T65UPD STGB20M65DF2 FS150R17N3E4 QAT-7 QAT-3 STGD14NC60KT4 STGB30M65DF2 STGB6M65DF2 AC0603FR-07124KL FGL40N120ANDTU LSP05G120P APT50MC120JCU2

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

STGB30H60DLLFBAG

STGB30H60DLLFBAG

STGB30H60DLLFBAG

Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.

Нет в наличии

Артикул:

STGB30H60DLLFBAG

Описание: STGB30H60DLLFBAG

Характеристики

Manufacturer STMicroelectronics

Collector-Emitter Voltage 600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage 1.7 V

Maximum Gate Emitter Voltage 20 V

Continuous Collector Current at 25 C 30 A

Power Dispation 260 W

Описание

Insulated-gate bipolar transistor-STGB30H60DLLFBAG: Биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT-транзистор STGB30H60DLLFBAG в каталоге Components.by