История:
LM2901PWG4
STGD19N40LZ
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGD19N40LZ
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
390 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage
16 V
Power Dispation
125 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD19N40LZ: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGD19N40LZ в каталоге Components.by