STGD5NB120SZ-1
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGD5NB120SZ-1
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGD5NB120SZ-1: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGD5NB120SZ-1 в каталоге Components.by