История:
FGA15S125P
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGF19NC60HD
STGF19NC60HD
STGF19NC60HD
Артикул:
Описание:
STGF19NC60HD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V/1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
35 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF19NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V/1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Power Dispation
35 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF19NC60HD: Биполярный транзистор с изолированным затвором

