История:
ELP3A04
P1101UALRP
MF-R250U-0-003
ELP4A04
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGF20M65DF2
STGF20M65DF2
STGF20M65DF2
Артикул:
Описание:
STGF20M65DF2
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
32.6 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF20M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.55 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
40 A
Power Dispation
32.6 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGF20M65DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором
