История:
TS3022IST
STGF7NB60SL
STGP40V60F
TS3011ILT
STGFW30V60DF
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGFW30V60DF
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
60 A
Power Dispation
58 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGFW30V60DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGFW30V60DF в каталоге Components.by