История:
AUIRGPS4070D0
FGH25N120FTDS
CST26/13/29-4S2
APTGT200DU120G
CPH3123-TL-E
2N2325 PBFREE
AC0603FR-07182RL
TDB6HK360N16P
BTA06-600SRG
M8A03Z-MMSST-SC001B
IKA08N65F5
MKI50-06A7
MG06150S-BN4MM
5M160ZE64C5N
AC0201FR-07390KL
SGD02N120
APTGT150A60T1G
RM4/I-3C90
ROD6/25-4B1
M12A03Z-MASRAUA
MG12400D-BN2MM
BTB24-600BWRG
RM7/I-3F36
MIEB100W1200TEH
BTA25-600CW3G
BTA12-600CW3G
IKD03N60RFATMA1
STGIPN3H60T-H
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
3-Phase Inverter
Continuous Collector Current
3 A
Power Dissipation
8 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3H60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль STGIPN3H60T-H в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

