История:
P14/8-3C95
AC0201FR-0722RL
DBYR-02A63-C04
ADTC114EUAQ-13
ACS302-6T3
T4050-6PF
APTGT300DA60D3G
GOLDELOX
A1P25S12M3
IXGR72N60B3H1
AC0201FR-075K6L
BCR116WH6327XTSA1
AC0201FR-0733KL
MLN0603-121
MKI75-06A7
FD1000R17IE4
MLN0805-260
F3L400R07ME4_B23
APTGT200DA120G
2305-1DCGI8
APTGLQ100A120TG
APTCV50H60T3G
F4100R17N3E4BPSA1
STGW30H65FB
STGIPN3HD60-H
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
3-Phase Inverter
Continuous Collector Current
3 A
Power Dissipation
7 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPN3HD60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль STGIPN3HD60-H в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

