STGIPNS3H60T-H
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
3-Phase Inverter
Continuous Collector Current
3 A
Power Dissipation
6.6 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPNS3H60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet