История:
SR1206JR-0733RL
IGW50N65H5FKSA1
5M240ZT100A5N
RM10/I-3C90
AC0603FR-0710K7L
FS215R04A1E3DBOMA1
SGB07N120
ZXTN25020DFLTA
MIXA30W1200TED
DBYS-02A28-C04
CMA60MT1600NHR
DDTA124EUA-7-F
M8A04Z-MMSRA-SC001B
AT17F16A-30JU
AC0603FR-071R6L
MG1240H-XBN2MM
ACS108-6SA-TR
Z0109NN 5AA4
FZ2400R17HP4_B29
BCR 119 E6327
10-643595-002
MLH0603-2N7-03
SR1206FR-7T10RL
3-1462039-3
BCR 146 E6327
BT136-600D,127
BCR 183S H6327
CST9.5/5.1/15-4S2
BCR 185 E6327
AC0603FR-0743KL
RM14/I-3C95
F4150R17ME4B11BPSA1
MLS0805-4S7-152
IGW40N65H5FKSA1
15EDGKAM-3.81-02P
ROD10/140-4B1
ZXTN25100DGQTA
FF225R12ME4PB11BPSA1
STGIPQ5C60T-HZS
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Carbide Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.15 V
Configuration
Half Bridge
Continuous Collector Current
5 A
Power Dissipation
13.6 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPQ5C60T-HZS: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль STGIPQ5C60T-HZS в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by