История:
BK/SFE-4
LVR005NK-2
ASO-220
024050
N2015ML200
502AT-2
2N3947
2N3904
M505014F
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT
STGIPS10C60-H
STGIPS10C60-H
STGIPS10C60-H
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Configuration
3-Phase Inverter
Continuous Collector Current
10 A
Power Dissipation
33 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10C60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Configuration
3-Phase Inverter
Continuous Collector Current
10 A
Power Dissipation
33 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS10C60-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet

