История:
054314
21510X
HC82AY-1
M12A04Z-FAASTUB
2N3906TA
STGWT80H65DFB
STGWT30V60DF
2N3906TFR
2N3904BU
STGWT40V60DF
2N3904TF
2N3964
2N3906BU
STGW60V60DF
2N3962
2N3906TF
2N3905
STGW80V60DF
2N3904
2N3947
STGW75M65DF2
2N3963
2N3906
2N4014
2N4029
2N4013
STGWA75M65DF2
STGWA20M65DF2
STGWA30M65DF2
STGWA50M65DF2
STGIPS30C60T-H
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Configuration
3-Phase Inverter
Gate-Emitter Leakage Current
-
Continuous Collector Current
30 A
Power Dissipation
52 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module STGIPS30C60T-H: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль STGIPS30C60T-H в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

