Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGP8M120DF3

STGP8M120DF3

STGP8M120DF3
STGP8M120DF3
Артикул:
Описание: STGP8M120DF3
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 16 A
Power Dispation 167 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP8M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage 1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 16 A
Power Dispation 167 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGP8M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором