История:
STGW80V60DF
010578
475108
MRT 2
FGA30T65SHD
STGW25M120DF3
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGW25M120DF3
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.85 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
50 A
Power Dispation
326 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW25M120DF3: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGW25M120DF3 в каталоге Components.by