История:
C42001309503
APT40GR120B2D30
APT70GR65B2DU40
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGW30NC60KD
STGW30NC60KD
STGW30NC60KD
Артикул:
Описание:
STGW30NC60KD
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW30NC60KD: Биполярный транзистор с изолированным затвором

