STGW40H120DF2
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGW40H120DF2
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
1200 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
468 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H120DF2: Биполярный транзистор с изолированным затвором