История:
2N4264
FS25R12KT3
Z0109MAML
096097
FS20R06VE3
2N4237
40452
FS10R06VE3
94599
STGW40H65DFB
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Артикул:
Описание:
STGW40H65DFB
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
283 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
IGBT-транзистор STGW40H65DFB в каталоге Components.by