История:
AUIRG4PH50S
APT43GA90BD30
APT44GA60BD30
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGW40V60DLF
STGW40V60DLF
STGW40V60DLF
Артикул:
Описание:
STGW40V60DLF
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
283 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40V60DLF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.35 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
283 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGW40V60DLF: Биполярный транзистор с изолированным затвором

