История:
P3800FNLTP
HSDNBRPPCB7B
APT100GN60B2G
APT54GA60BD30
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
STGWA40IH65DF
STGWA40IH65DF
STGWA40IH65DF
Артикул:
Описание:
STGWA40IH65DF
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
238 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40IH65DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
80 A
Power Dispation
238 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGWA40IH65DF: Биполярный транзистор с изолированным затвором

