Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB

STGWT80H65DFB
STGWT80H65DFB
Артикул:
Описание: STGWT80H65DFB
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 120 A
Power Dispation 469 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT80H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer STMicroelectronics
Collector-Emitter Voltage 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 120 A
Power Dispation 469 W
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-STGWT80H65DFB: Биполярный транзистор с изолированным затвором