История:
AIGW40N65H5XKSA1
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
TIG065E8-TL-H
TIG065E8-TL-H
TIG065E8-TL-H
Артикул:
Описание:
TIG065E8-TL-H
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
4 V
Continuous Collector Current at 25 C
150 A
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-TIG065E8-TL-H: Биполярный транзистор с изолированным затвором
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Collector-Emitter Voltage
400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
4.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
4 V
Continuous Collector Current at 25 C
150 A
Описание
Insulated-gate bipolar transistor-TIG065E8-TL-H: Биполярный транзистор с изолированным затвором

