История:
APT45GR65B
AM1707DZKBA3
191389
191391
049445
048793
125192
VS-ETF150Y65N
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Continuous Collector Current
201 A
Power Dissipation
600 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-ETF150Y65N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet