История:
M12A03Z-FASRAUA
IGW30N65L5XKSA1
AC0603FR-071R8L
AC0603FR-07294KL
BCR 192W H6327
DBYS-03A63-C04
TT190N16SOFHPSA2
AC0603FR-07205KL
5M160ZM68I5N
AC0603FR-07270RL
PBSS4130PAN,115
FZ1000R33HE3
K1400E70RP2
IFS100B17N3E4P_B11
AC0603FR-0721RL
ROD12/40-4B1
DD1200S45KL3_B5
Z0107SN 5AA4
IFS150B12N3E4P_B11
IKA08N65H5
VS-GB150YG120NT
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Product
IGBT Silicon Modules
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1200 V
Configuration
4-Pack
Gate-Emitter Leakage Current
440 nA
Continuous Collector Current
182 A
Power Dissipation
892 W
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GB150YG120NT: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль VS-GB150YG120NT в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by

