Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Главная Каталог Полупроводниковые приборы Транзисторы Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT VS-GT300FD060N

VS-GT300FD060N

VS-GT300FD060N
VS-GT300FD060N
Артикул:
Описание: VS-GT300FD060N
Datasheet:
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.72 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 379 A
Power Dissipation 1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT300FD060N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.72 V
Configuration Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current 500 nA
Continuous Collector Current 379 A
Power Dissipation 1.25 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT300FD060N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet