История:
APT64GA90B2D30
122206
108886
122190
049492
01020064Z
01010002Z
AD790JNZ
450215
STGIPS20K60
21010X
LSP05GI480S
LT1567CMS8
106815
A2C50S65M2
CP-3002D
2DA1971-7
HC77AY-1
T10B200
191278
122456
IXBOD1-10
105543
1033788
5400700
055105
125554
184315
186373
125203
BUF08821AIPWPR
AS35 20010
122188
BA3835F-E2
APT20M22JVRU2
122459
20612X
2N3055G
B59008C0140A040
2N1711
VS-GT400TH60N
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Manufacturer
Vishay
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Configuration
Half Bridge
Gate-Emitter Leakage Current
400 nA
Continuous Collector Current
530 A
Power Dissipation
1.6 kW
Описание
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module VS-GT400TH60N: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором
Скачать datasheet
Купить IGBT модуль VS-GT400TH60N в Минске по оптовой цене, можно в элетронном каталоге Components.by