ZTX1147A Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 12 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 15 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 175 mV
Gain Bandwidth Product fT
115 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
- 4 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 200 at 2 A, 2 V, 170 at 4 A, 2 V, 90 at 10 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
270 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
4000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
4 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Bulk
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX1147
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
453,600 mg
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX1147A Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX1147A Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX1147A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.