ZTX658QSTZ Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
400 V
Collector- Base Voltage VCBO
400 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
50 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
500 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min
40
Factory Pack Quantity
2000
Maximum DC Collector Current
500 mA
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Ammo Pack
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
Qualification
AEC-Q101
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Описание
Биполярный транзистор ZTX658QSTZ Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX658QSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX658QSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.