История:
R5F51138AGFM
ZTX694B Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
120 V
Collector- Base Voltage VCBO
120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5 V
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
Continuous Collector Current
0.5 A
DC Collector/Base Gain hFE Min
500 at 100 mA, 2 V, 400 at 200 mA, 2 V, 150 at 400 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at 100 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
4000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
0.5 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Bulk
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX694
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Unit Weight
453,600 mg
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX694B Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX694B Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX694B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.