ZTX788BSTZ Diodes Incorporated
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
15 V
Collector- Base Voltage VCBO
15 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
100 MHz
Pd - Power Dissipation
1000 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Brand
Diodes Incorporated
Configuration
Single
DC Collector/Base Gain hFE Min
500 at 10 mA, 2 V, 400 at 1 A, 2 V, 300 at 2 A, 2 V, 150 at 6 A, 2 V
DC Current Gain hFE Max
500 at 10 mA, 2 V
Factory Pack Quantity
2000
Height
4.01 mm
Length
4.77 mm
Maximum DC Collector Current
3 A
Mounting Style
Through Hole
Packaging
Ammo Pack
Product Category
Bipolar Transistors - BJT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors
RoHS
Details
Series
ZTX788
Subcategory
Transistors
Technology
Si
Width
2.41 mm
Описание
Биполярный транзистор ZTX788BSTZ Diodes Incorporated
В каталоге Components.by представлен электронный компонент ZTX788BSTZ Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом ZTX788BSTZ , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.