История:
105519
VC060309A200DP
101914
APTC60AM35T1G
FS450R17OP4PBOSA1
107067
186389
24162X
308801
151KM14
215381
APT5010JLLU3
BCR30AM-12LB
216701
216301
122483
151KM25
24064X
151KM20
VC14MT0600KBA
240601
VC121038S770DP
VCUG080030L1DP
VCUG060050L1DP
SA82SB0
LM339D
LM293PT
HQ6025NH5TP
105437
0LCC8
LM339APT
ATP-TP
SC72AAB
ZXTN2010ZQTA
Изображение служит только для ознакомления.
См. спецификацию продукта.
См. спецификацию продукта.
Нет в наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
190 V
Emitter- Base Voltage VEBO
8.1 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
230 mV
Gain Bandwidth Product fT
130 MHz
Pd - Power Dissipation
1.5 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
ZXTN2010ZQTA
Биполярный транзистор - ZXTN2010ZQTA
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - ZXTN2010ZQTA Diodes Incorporated.
Купить биполярный транзистор ZXTN2010ZQTA по оптовой цене в Минске, можно в электронном каталоге Components.by
