История:
BSM50GX120DN2
MD200C16D2-BP
Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
BSM50GX120DN2
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module BSM50GX120DN2: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2014953450![]() |
Infineon BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL] Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 738.87 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы
![Infineon BSM50GX120DN2BOSA1, Модуль IGBT 1200V 80A 360Вт. [EOL] Силовые IGBTи SiC модули](https://doc.platan.ru/img_base/nn_jpg/2010989456.jpg)