Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FF150R12KS4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF150R12KS4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2015932345![]() |
YJ MG150HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 833Вт (C2) = GD150HFU120C2S, FF150R12KS4 Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 231.16 BYN |

Power
Sensors
Релейная защита и автоматика
