Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FF50R12RT4
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FF50R12RT4: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2015340958![]() |
YJ MG50HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 50A, 400Вт (C1) = Infineon FF50R12RT4 = FUJI 2MBI50VA-120-50 Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 78.42 BYN |

Power
Sensors
Релейная защита и автоматика
