История:
Q8016LH6TP
FP50R12KT3
NVD05UCD033
223456
Результат поиска
| Фото | Название | Количество | Поставка | Цена |
|---|---|---|---|---|
|
FP50R12KT3
Module insulated-gate bipolar transistor, IGBT-Module FP50R12KT3: Модуль биполярного транзистора с изолированным затвором К сравнению |
поиск предложений
|
Страницы 1
Удаленный склад
| Код и фото | Наименование | Кол-во | Поставка | Цена | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
#2015340961![]() |
YJ MG50P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT3/E3 = FUJI 7MBR50VB120-50 Силовые IGBTи SiC модули | 0.00 шт. | под заказ | 272.43 BYN |

Релейная защита и автоматика
Электропитание
Паяльное оборудование
Полупроводниковые приборы
Разъемы
