История:
DSPIC33FJ32GP102-H/SS
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Диодные модули
| Товар | Цена | Brand | Configuration | Fall Time | Id - Continuous Drain Current | Manufacturer | Maximum Operating Temperature | Minimum Operating Temperature | Mounting Style | Package/Case | Pd - Power Dissipation | Product | Product Category | Rds On - Drain-Source Resistance | Rise Time | RoHS | Series | Technology | Transistor Polarity | Type | Typical Turn-Off Delay Time | Typical Turn-On Delay Time | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vf - Forward Voltage | Vgs - Gate-Source Voltage | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Vr - Reverse Voltage | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Crydom | Sensata | Diode Power Modules | Discrete Semiconductor Modules | Details | F18 | |||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Crydom | Sensata | Diode Power Modules | Discrete Semiconductor Modules | Details | F18 | |||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Crydom | Sensata | Diode Power Modules | Discrete Semiconductor Modules | Details | F18 | |||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Crydom | Sensata | Diode Power Modules | Discrete Semiconductor Modules | Details | F18 | |||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
Дискретный модуль F3L11MR12W2M1B74BOMA1 Infineon Technologies
Infineon Technologies
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | 3-Phase | 18.5 ns | 100 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Press Fit | Module | 20 mW (1/50 W) | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 11.3 mOhms | 23.4 ns | N-Channel | SiC Power Module | 82.9 ns | 26.7 ns | 1200 V | 4.6 V | - 10 V, + 20 V | 5.55 V | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | 3-Phase | 18 ns | 75 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Screw Mount | AG-EASY2BM-2 | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 15 mOhms | 13 ns | Details | CoolSiC Module | N-Channel | CoolSiC MOSFET | 64 ns | 24 ns | 1200 V | 4.6 V at 75 A | - 10 V, 20 V | 3.45 V | 1200 V | |||
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Infineon | Discrete Semiconductor Modules | CoolSiC Module | |||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | ON Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules | Details | |||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
SanRex | 50 ns | 150 A | SanRex | + 150 C | - 40 C | SMD/SMT | 1135 W | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 4.1 mOhms | 36 ns | Details | FCA1 | SiC MOSFET Module | 114 ns | 66 ns | 1200 VDC | - 7 V, 22 V | 4 V | |||||||
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Infineon | Discrete Semiconductor Modules | Details | CoolSiC Module | ||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Infineon | Discrete Semiconductor Modules | CoolSiC Module | |||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Dual | 12 ns | 50 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Press Fit | Module | 20 mW | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 23 mOhms | 10 ns | Details | CoolSiC Module | N-Channel | EasyDUAL Module | 43.5 ns | 12 ns | 1200 V | 4 V | - 10 V, 20 V | 3.5 V | 1200 V | ||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Half-Bridge | 53 ns | 500 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Screw Mount | Module | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 2.13 mOhms | 82.2 ns | Details | CoolSiC Module | N-Channel | SiC Power Module | 22 ns | 83.4 ns | 1200 V | 4.6 V | - 10 V, 20 V | 3.45 V | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Half-Bridge | 53 ns | 500 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Screw Mount | Module | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 2.13 mOhms | 82.2 ns | Details | CoolSiC Mosfet | N-Channel | SiC Power Module | 22 ns | 83.4 ns | 1200 V | 4.6 V | - 10 V, 20 V | 3.45 V | ||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Infineon | Discrete Semiconductor Modules | Details | |||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Half-Bridge | 43.9 ns | 250 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Screw Mount | Module | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 5.81 mOhms | 33.7 ns | Details | CIPOS Mini IPM | N-Channel | SiC Power Module | 124 ns | 69.1 ns | 1200 V | 4.8 V | - 10 V, 20 V | 3.45 V | ||||
|
|
поиск предложений
|
Подробности | ||||||||||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
Infineon Technologies | Dual | 30 ns | 200 A | Infineon | + 150 C | - 40 C | Screw Mount | Module | Power MOSFET Modules | Discrete Semiconductor Modules | 5.63 mOhms | 18.7 ns | Details | CoolSiC Module | N-Channel | EasyDUAL Module | 62.6 ns | 20.4 ns | 1200 V | 4.6 V | - 10 V, 20 V | 3.45 V | 1200 V | |||
|
|
поиск предложений
|
Подробности |
