Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули

Диодные модули

Сравнить 0 товара

Товар	Цена	Brand	Configuration	Fall Time	Id - Continuous Drain Current	Manufacturer	Maximum Operating Temperature	Minimum Operating Temperature	Mounting Style	Package/Case	Pd - Power Dissipation	Product	Product Category	Rds On - Drain-Source Resistance	Rise Time	RoHS	Series	Technology	Transistor Polarity	Type	Typical Turn-Off Delay Time	Typical Turn-On Delay Time	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Vf - Forward Voltage	Vgs - Gate-Source Voltage
FST16035 Дискретный модуль FST16035 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor	+ 150 C	- 55 C	SMD/SMT	TO-249AB	Schottky Rectifier Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	FST160	Si	Schottky Rectifier Module	0.75 V	35 V
FST16040 Дискретный модуль FST16040 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor	+ 150 C	- 55 C	SMD/SMT	TO-249AB	Schottky Rectifier Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	FST160	Si	Schottky Rectifier Module	0.75 V	40 V
FST16045 Дискретный модуль FST16045 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	Single Dual Anode	GeneSiC Semiconductor	+ 150 C	- 55 C	SMD/SMT	TO-249AB	-	Schottky Rectifier Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	FST160	Si	Schottky Rectifier Module	750 mV	45 V
FST16060 Дискретный модуль FST16060 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	Single Dual Anode	GeneSiC Semiconductor	+ 150 C	- 55 C	SMD/SMT	TO-249AB	-	Schottky Rectifier Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	FST160	Si	Schottky Rectifier Module	800 mV	60 V
FST16080 Дискретный модуль FST16080 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	Подробности
GB2X50MPS12-227 Дискретный модуль GB2X50MPS12-227 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	Подробности
GB2X50MPS17-227 Дискретный модуль GB2X50MPS17-227 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	Dual	GeneSiC Semiconductor	+ 175 C	- 55 C	SMD/SMT	SOT-227	1154 W	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	SiC Schottky MPS	SiC	Silicon Carbide Schottky Diode Module	1.5 V	1700 V
GC2X100MPS06-227 Дискретный модуль GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	Dual	GeneSiC Semiconductor	+ 175 C	- 55 C	SMD/SMT	SOT-227	1.034 kW	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	SiC Schottky MPS	SiC	Silicon Carbide Schottky Diode Module	1.5 V	650 V
GC2X50MPS06-227 Дискретный модуль GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GeneSiC Semiconductor	поиск предложений	GeneSiC Semiconductor	Dual	GeneSiC Semiconductor	+ 175 C	- 55 C	SMD/SMT	SOT-227	526 W	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	SiC Schottky MPS	SiC	Silicon Carbide Schottky Diode Module	1.5 V	650 V
GCMS040A120S1-E1 Дискретный модуль GCMS040A120S1-E1 SemiQ SemiQ	поиск предложений	SemiQ	35 ns	120 A	SemiQ	+ 150 C	- 40 C	Screw Mount	SOT-227-4	640 W	Power MOSFET Modules	Discrete Semiconductor Modules	40 mOhms	53 ns	Details	SiC	N-Channel and SBD	SiC Power Module	27 ns	15 ns	1200 V	1.54 V	- 10 V, 25 V	2 V	1200 V
GCMS080A120S1-E1 Дискретный модуль GCMS080A120S1-E1 SemiQ SemiQ	поиск предложений	SemiQ	35 ns	120 A	SemiQ	+ 150 C	- 40 C	Screw Mount	SOT-227-4	640 W	Power MOSFET Modules	Discrete Semiconductor Modules	80 mOhms	53 ns	Details	SiC	N-Channel and SBD	SiC Power Module	27 ns	15 ns	1200 V	1.54 V	- 10 V, 25 V	2 V	1200 V
GHXS020A060S-D3 Дискретный модуль GHXS020A060S-D3 SemiQ SemiQ	поиск предложений	SemiQ	20 A	SemiQ	+ 175 C	- 55 C	Screw Mount	SOT-227-4	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	SiC	SiC Power Module	600 V	1.5 V	600 V
GHXS030A060S-D3 Дискретный модуль GHXS030A060S-D3 SemiQ SemiQ	поиск предложений	SemiQ	30 A	SemiQ	+ 175 C	- 55 C	Screw Mount	SOT-227-4	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	SiC	SiC Power Module	600 V	1.5 V	600 V
GHXS050B065S-D3 Дискретный модуль GHXS050B065S-D3 SemiQ SemiQ	поиск предложений	SemiQ	SemiQ	+ 175 C	- 55 C	Screw Mount	SOT-227-4	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	GHXS	SiC Power Module	1.5 V	1200 V
GHXS050B120S-D3 Дискретный модуль GHXS050B120S-D3 SemiQ SemiQ	поиск предложений	SemiQ	SemiQ	+ 175 C	- 55 C	Screw Mount	SOT-227-4	Schottky Diode Modules	Discrete Semiconductor Modules	Details	GHXS	SiC Power Module	1.5 V	1200 V
GHXS100B120S-D3 Дискретный модуль GHXS100B120S-D3 SemiQ SemiQ	поиск предложений	Подробности
GLPB3460G1K1457XPSA1 Дискретный модуль GLPB3460G1K1457XPSA1 Infineon Technologies Infineon Technologies	поиск предложений	Infineon Technologies	Infineon	Discrete Semiconductor Modules	Details	Thyristor and Diode Module
IXBOD2-32RD Дискретный модуль IXBOD2-32RD IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXBOD2-36RD Дискретный модуль IXBOD2-36RD IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	IXYS	Discrete Semiconductor Modules	Details
IXFE36N100 Дискретный модуль IXFE36N100 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFE39N90 Дискретный модуль IXFE39N90 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	30 ns	34 A	IXYS	+ 150 C	- 40 C	Chassis Mount	ISOPLUS-227-4	580 W	Discrete Semiconductor Modules	220 mOhms	68 ns	Details	IXFE39N90	Si	N-Channel	125 ns	45 ns	900 V	- 20 V, + 20 V
IXFE80N50 Дискретный модуль IXFE80N50 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	27 ns	72 A	IXYS	+ 150 C	- 40 C	Chassis Mount	ISOPLUS-227-4	580 W	Discrete Semiconductor Modules	55 mOhms	70 ns	Details	IXFE80N50	Si	N-Channel	102 ns	61 ns	500 V	- 20 V, + 20 V
IXFN100N50Q3 Дискретный модуль IXFN100N50Q3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	82 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	960 W	Discrete Semiconductor Modules	49 mOhms	250 ns	Details	IXFN100N50	Si	N-Channel	500 V	- 30 V, + 30 V
IXFN100N65X2 Дискретный модуль IXFN100N65X2 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	13 ns	78 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	595 W	Discrete Semiconductor Modules	30 mOhms	26 ns	Details	650V Ultra Junction X2	Si	N-Channel	90 ns	37 ns	650 V	- 30 V, + 30 V	3.5 V
IXFN102N30P Дискретный модуль IXFN102N30P IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности