Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули

Диодные модули

Сравнить 0 товара

Товар	Цена	Brand	Configuration	Fall Time	Id - Continuous Drain Current	Manufacturer	Maximum Operating Temperature	Minimum Operating Temperature	Mounting Style	Package/Case	Pd - Power Dissipation	Product	Product Category	Rds On - Drain-Source Resistance	Rise Time	RoHS	Series	Technology	Transistor Polarity	Type	Typical Turn-Off Delay Time	Typical Turn-On Delay Time	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Vf - Forward Voltage
IXFN300N10P Дискретный модуль IXFN300N10P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	25 ns	295 A	IXYS	+ 175 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.07 kW	Discrete Semiconductor Modules	5.5 mOhms	35 ns	Details	IXFN300N10	Si	N-Channel	Polar Power MOSFET HiPerFET	56 ns	36 ns	100 V	- 20 V, + 20 V	5 V
IXFN30N120P Дискретный модуль IXFN30N120P IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN320N17T2 Дискретный модуль IXFN320N17T2 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	230 ns	260 A	IXYS	+ 175 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.07 kW	Discrete Semiconductor Modules	5.2 mOhms	170 ns	Details	IXFN320N17	Si	N-Channel	GigaMOS Trench T2 HiperFet	115 ns	46 ns	170 V	- 20 V, + 20 V	5 V
IXFN32N100P Дискретный модуль IXFN32N100P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	43 ns	27 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	690 W	Discrete Semiconductor Modules	320 mOhms	55 ns	Details	IXFN32N100	Si	N-Channel	Polar Power MOSFET HiPerFET	76 ns	50 ns	1 kV	- 30 V, + 30 V	6.5 V
IXFN32N100Q3 Дискретный модуль IXFN32N100Q3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	28 A	IXYS	+ 150 C	Chassis Mount	SOT-227-4	780 W	Discrete Semiconductor Modules	320 mOhms	300 ns	Details	IXFN32N1003	Si	N-Channel	1 kV	- 30 V, + 30 V
IXFN32N80P Дискретный модуль IXFN32N80P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	26 ns	29 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	625 W	Discrete Semiconductor Modules	270 mOhms	29 ns	Details	IXFN32N80	Si	N-Channel	85 ns	30 ns	800 V	- 30 V, + 30 V
IXFN340N06 Дискретный модуль IXFN340N06 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN34N100 Дискретный модуль IXFN34N100 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	30 ns	34 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	280 mOhms	65 ns	Details	IXFN34N100	Si	N-Channel	110 ns	41 ns	1 kV	- 20 V, + 20 V
IXFN34N80 Дискретный модуль IXFN34N80 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	40 ns	34 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	600 W	Discrete Semiconductor Modules	240 mOhms	45 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	100 ns	45 ns	800 V	- 20 V, + 20 V
IXFN360N15T2 Дискретный модуль IXFN360N15T2 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	265 ns	310 A	IXYS	+ 175 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.07 mW	Discrete Semiconductor Modules	4 mOhms	170 ns	Details	IXFN360N15	Si	N-Channel	GigaMOS Trench T2 HiperFet	150 V	- 20 V, + 20 V
IXFN36N60 Дискретный модуль IXFN36N60 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN38N100Q2 Дискретный модуль IXFN38N100Q2 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	15 ns	38 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	890 W	Discrete Semiconductor Modules	250 mOhms	28 ns	Details	IXFN38N100	Si	N-Channel	57 ns	25 ns	1 kV	- 30 V, + 30 V
IXFN40N110Q3 Дискретный модуль IXFN40N110Q3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	IXYS	Chassis Mount	SOT-227-4	Discrete Semiconductor Modules	Details	Si
IXFN44N50 Дискретный модуль IXFN44N50 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	30 ns	44 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	520 W	Discrete Semiconductor Modules	120 mOhms	60 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	100 ns	30 ns	500 V	- 20 V, + 20 V
IXFN44N80 Дискретный модуль IXFN44N80 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	24 ns	44 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	165 mOhms	48 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	100 ns	35 ns	800 V	- 20 V, + 20 V
IXFN48N50Q Дискретный модуль IXFN48N50Q IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN48N60P Дискретный модуль IXFN48N60P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	22 ns	40 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	625 W	Discrete Semiconductor Modules	140 mOhms	25 ns	Details	IXFN48N60	Si	N-Channel	85 ns	30 ns	600 V	- 30 V, + 30 V
IXFN50N120SIC Дискретный модуль IXFN50N120SIC IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN50N120SK Дискретный модуль IXFN50N120SK IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	48 A	IXYS	+ 150 C	- 40 C	Chassis Mount	SOT-227-4	-	Discrete Semiconductor Modules	40 mOhms	Details	SiC	N-Channel	1.2 kV	- 20 V, + 20 V	2.4 V
IXFN52N100X Дискретный модуль IXFN52N100X IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	9 ns	44 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	830 W	Discrete Semiconductor Modules	125 mOhms	13 ns	Details	X-Class	Si	N-Channel	107 ns	34 ns	1 kV	- 30 V, + 30 V	3.5 V
IXFN56N90P Дискретный модуль IXFN56N90P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	38 ns	56 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1 kW	Discrete Semiconductor Modules	135 mOhms	80 ns	Details	IXFN56N90	Si	N-Channel	93 ns	74 ns	900 V	- 30 V, + 30 V	6.5 V
IXFN62N80Q3 Дискретный модуль IXFN62N80Q3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	49 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	960 W	Discrete Semiconductor Modules	140 mOhms	300 ns	Details	IXFN62N80	Si	N-Channel	800 V	- 30 V, + 30 V
IXFN64N50P Дискретный модуль IXFN64N50P IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN64N60P Дискретный модуль IXFN64N60P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	24 ns	50 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	96 mOhms	23 ns	Details	IXFN64N60	Si	N-Channel	79 ns	28 ns	600 V	- 30 V, + 30 V
IXFN66N85X Дискретный модуль IXFN66N85X IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	20 ns	65 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	830 mW	Discrete Semiconductor Modules	65 mOhms	48 ns	Details	Si	N-Channel	105 ns	40 ns	850 V	- 30 V, + 30 V	3.5 V