Главная Каталог Полупроводниковые приборы Дискретные полупроводниковые приборы Дискретные модули и модули питания Диодные модули

Диодные модули

Сравнить 0 товара

Товар	Цена	Brand	Configuration	Fall Time	Id - Continuous Drain Current	Manufacturer	Maximum Operating Temperature	Minimum Operating Temperature	Mounting Style	Package/Case	Pd - Power Dissipation	Product	Product Category	Rds On - Drain-Source Resistance	Rise Time	RoHS	Series	Technology	Transistor Polarity	Type	Typical Turn-Off Delay Time	Typical Turn-On Delay Time	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Vf - Forward Voltage
IXFN110N60P3 Дискретный модуль IXFN110N60P3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	15 ns	90 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.5 mW	Discrete Semiconductor Modules	56 mOhms	30 ns	Details	IXFN110N60	Si	N-Channel	106 ns	63 ns	600 V	- 30 V, + 30 V	3 V
IXFN110N85X Дискретный модуль IXFN110N85X IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	11 ns	110 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.17 kW	Discrete Semiconductor Modules	33 mOhms	25 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	144 ns	50 ns	850 V	- 30 V, + 30 V	3.5 V
IXFN120N20 Дискретный модуль IXFN120N20 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN120N65X2 Дискретный модуль IXFN120N65X2 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN132N50P3 Дискретный модуль IXFN132N50P3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	8 ns	112 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.5 kW	Discrete Semiconductor Modules	39 mOhms	9 ns	Details	IXFN132N50	Si	N-Channel	500 V	- 30 V, + 30 V	5 V
IXFN140N30P Дискретный модуль IXFN140N30P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	20 ns	115 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	24 mOhms	30 ns	Details	IXFN140N30	Si	N-Channel	100 ns	30 ns	300 V	- 20 V, + 20 V
IXFN150N65X2 Дискретный модуль IXFN150N65X2 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	13 ns	145 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	1.04 mW	Discrete Semiconductor Modules	17 mOhms	30 ns	Details	650V Ultra Junction X2	Si	N-Channel	100 ns	55 ns	650 V	- 30 V, + 30 V	3.5 V
IXFN160N30T Дискретный модуль IXFN160N30T IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN170N10 Дискретный модуль IXFN170N10 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	79 ns	170 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	600 W	Discrete Semiconductor Modules	10 mOhms	90 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	158 ns	40 ns	100 V	- 20 V, + 20 V
IXFN170N25X3 Дискретный модуль IXFN170N25X3 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	7 ns	146 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	390 W	Discrete Semiconductor Modules	6.1 mOhms	10 ns	Details	X3-Class	Si	N-Channel	62 ns	18 ns	250 V	- 20 V, + 20 V	2.5 V
IXFN170N30P Дискретный модуль IXFN170N30P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	16 ns	138 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	890 W	Discrete Semiconductor Modules	18 mOhms	29 ns	Details	IXFN170N30	Si	N-Channel	Polar Power MOSFET HiPerFET	79 ns	41 ns	300 V	- 20 V, + 20 V	4.5 V
IXFN180N15P Дискретный модуль IXFN180N15P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	36 ns	150 A	IXYS	+ 175 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	680 W	Discrete Semiconductor Modules	11 mOhms	32 ns	Details	IXFN180N15	Si	N-Channel	150 ns	30 ns	150 V	- 20 V, + 20 V
IXFN180N20 Дискретный модуль IXFN180N20 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	56 ns	180 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	6 mOhms	85 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	180 ns	55 ns	200 V	- 20 V, + 20 V
IXFN200N07 Дискретный модуль IXFN200N07 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	60 ns	200 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	520 W	Discrete Semiconductor Modules	6 mOhms	60 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	100 ns	30 ns	70 V	- 20 V, + 20 V
IXFN200N10P Дискретный модуль IXFN200N10P IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	90 ns	200 A	IXYS	+ 175 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	680 W	Discrete Semiconductor Modules	7.5 mOhms	35 ns	Details	IXFN200N10	Si	N-Channel	150 ns	30 ns	100 V	- 20 V, + 20 V
IXFN210N20P Дискретный модуль IXFN210N20P IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN210N30P3 Дискретный модуль IXFN210N30P3 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN21N100Q Дискретный модуль IXFN21N100Q IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN230N10 Дискретный модуль IXFN230N10 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	60 ns	230 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	6.5 mOhms	150 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	112 ns	40 ns	100 V	- 20 V, + 20 V
IXFN230N20T Дискретный модуль IXFN230N20T IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN240N15T2 Дискретный модуль IXFN240N15T2 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	145 ns	240 A	IXYS	+ 175 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	830 W	Discrete Semiconductor Modules	5.2 mOhms	125 ns	Details	IXFN240N15	Si	N-Channel	GigaMOS Trench T2 HiperFet	77 ns	48 ns	150 V	- 20 V, + 20 V
IXFN24N100 Дискретный модуль IXFN24N100 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN25N90 Дискретный модуль IXFN25N90 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	24 ns	25 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	600 W	Discrete Semiconductor Modules	330 mOhms	35 ns	Details	IXFN25N90	Si	N-Channel	130 ns	60 ns	900 V	- 20 V, + 20 V
IXFN27N80 Дискретный модуль IXFN27N80 IXYS IXYS	поиск предложений	Подробности
IXFN280N085 Дискретный модуль IXFN280N085 IXYS IXYS	поиск предложений	IXYS	Single	33 ns	280 A	IXYS	+ 150 C	- 55 C	Chassis Mount	SOT-227-4	700 W	Discrete Semiconductor Modules	4.4 mOhms	95 ns	Details	HiPerFET	Si	N-Channel	200 ns	140 ns	85 V	- 20 V, + 20 V