JFET
| Товар | Цена | Manufacturer | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gate-Source Cut-off Voltage | Drain-Source Current at Vgs=0 | Id - Continuous Drain Current | Maximum Drain Gate Voltage | Pd - Power Dissipation | Rds On - Drain-Source Resistance | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Operating Temperature Range | Unit Weight | Configuration | Forward Transconductance - Min | Mounting Style | Technology | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | 10 V | - 25 V | - 6.5 V | 60 mA | Single | 8 mS | SMD/SMT | Si | |||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | 10 V | - 25 V | - 4 V | 30 mA | Single | 10 mS | SMD/SMT | Si | |||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | 10 V | - 25 V | - 6.5 V | 60 mA | 18,316 mg | Single | 8 mS | SMD/SMT | Si | ||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | Si | |||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | P-Channel | 30 V | 10 V | - 10 mA | 75 Ohms | Single | SMD/SMT | Si | ||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | P-Channel | 30 V | 5 V | - 5 mA | 150 Ohms | Single | SMD/SMT | Si | ||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 30 V | 350 mW | Single | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
|||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 25 V | 500 mW | Single | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 25 V | 500 mW | Single | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 25 V | 500 mW | Single | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
|||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 0.3 V | 10 mA | - 25 V | - 55 C | + 150 C | Single | SMD/SMT | Si | |||||||||
|
|
поиск предложений
|
ON Semiconductor | N-Channel | 30 V | - 30 V | - 800 mV | 3 mA | 10 mA | - 30 V | 100 mW | - 55 C | + 150 C | 0,694 mg | Single | 3 ms | SMD/SMT | Si | |||
|
|
поиск предложений
|
|||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 50 V | 300 mW | Dual | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
|||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 50 V | 300 mW | Dual | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 50 V | 300 mW | Dual | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
|||||||||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 25 V | 250 mW | Dual | Si | |||||||||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | 10 V | - 25 V | - 6 V | 60 mA | 1 nA | 500 mW (1/2 W) | Single | 10 mS | Through Hole | Si | |||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | 10 V | - 25 V | - 4 V | 30 mA | 1 nA | 500 mW (1/2 W) | 5,844 g | Single | 10 mS | Through Hole | Si | ||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | 10 V | - 25 V | - 6 V | 60 mA | 1 nA | 500 mW (1/2 W) | 631,757 mg | Single | 10 mS | Through Hole | Si | ||||||
|
|
поиск предложений
|
InterFET | N-Channel | - 25 V | - 6 V | 60 mA | 300 mW | 1 g | Single | 1000 uS | Through Hole | Si |
